HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF
ISIN: IE000YDZG487
ETFthesaurierendPhysischAktiv handelbar
TER
0.35% p.a.
Fondsvolumen
260 Mio. €
1 J.
+177,3 %
5 J.
+5,0 %
Vola 1J
30,7 %
Drawdown 1J
-13,4 %
Wertentwicklung
Vergangene Wertentwicklung ist keine Garantie für zukünftige Ergebnisse.
1 Monat
+10,1 %
3 Monate
+80,0 %
6 Monate
+106,9 %
Lfd. Jahr
+105,5 %
1 Jahr
+177,3 %
3 Jahre
+320,8 %
5 Jahre
+5,0 %
Max.
+355,1 %
Kalenderjahres-Renditen
2022
—
2023
+62,8 %
2024
+24,7 %
2025
+39,0 %
Risiko & Schwankung
Volatilität 1J
30,7 %
Schwankungsbreite der Rendite
Volatilität 3J
30,3 %
Volatilität 5J
—
Max. Drawdown 1J
-13,4 %
Größter zwischenzeitlicher Rückgang
Max. Drawdown 3J
-37,7 %
Max. Drawdown max.
-37,7 %
Rendite/Risiko 1J
5.79
Rendite im Verhältnis zur Schwankung
Rendite/Risiko 3J
2.03
Rendite/Risiko 5J
-
Portfolio
Größte Positionen
Top-Gewicht: 60.64%
Broadcom Inc.8.50%
SK hynix, Inc.7.65%
NVIDIA Corp.7.33%
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.6.86%
Intel Corp.6.74%
ASML Holding NV6.41%
AMD5.76%
Micron Technology4.08%
Texas Instruments3.72%
Lam Research3.59%
Länderaufteilung
United States56.87%
Taiwan12.28%
Netherlands8.53%
South Korea8.13%
Other14.19%
Branchen / Sektoren
Technology94.77%
Other5.23%
Stammdaten
| ISIN | IE000YDZG487 |
| Typ | ETF |
| TER | 0.35% p.a. |
| Fondsvolumen | 260 Mio. € |
| Ertragsverwendung | thesaurierend |
| Replikation | Physisch |
| Erster Kurs | 2022-01-25 |
| Status | aktiv handelbar |
Angaben ohne Gewähr – maßgeblich ist das offizielle Factsheet des Anbieters. Renditen sind Vergangenheitswerte und keine Garantie für zukünftige Entwicklungen. Keine Anlageberatung.
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